欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HSD128M72B9K-F12 参数 Datasheet PDF下载

HSD128M72B9K-F12图片预览
型号: HSD128M72B9K-F12
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 同步DRAM模块1024MByte。点击( 128Mx72Bit ) , 8K参考, 3.3V无缓冲ECC SO- DIMM , [Synchronous DRAM Module 1024Mbyte (128Mx72Bit), 8K Ref., 3.3V ECC Unbuffered SO-DIMM,]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 207 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
 浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HSD128M72B9K-F12的Datasheet PDF文件第10页  
韩光
CKE
³
V
IH
(分钟)
I
CC2
NS
I
CC3
P
I
CC3
PS
CLK
£
V
IL
(最大值),叔
CC
输入信号是稳定的
活跃
待机
当前
in
CKE
£
V
IL
(最大值),叔
CC
=10ns
CKE&CLK
£
V
IL
(最大)
t
CC
CKE = V
IH
( MIN)
在活动待机电流
非掉电模式
(一银行活动)
I
CC3
NS
I
CC3
N
CS * ≥V
IH
( MIN)
t
CC
=10ns
输入信号被改变1
在20ns的时间
CKE≥VIH (分钟)
CLK
≤VIL (最大值) ,
t
CC
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
工作电流
(突发模式)
刷新当前
自刷新电流
注意事项:
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.除非另有注意到,输入摆幅级别CMOS (V
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).
I
CC4
第一阵
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
I
CC5
I
CC6
t
RC
³
t
RC
(分钟)
CKE
£
0.2V
2160
1980
1260
1260
315
450
72
72
180
HSD128M72B9K
掉电模式
mA
mA
1170
1170
mA
1
1890
1890
mA
mA
mA
2
3
4
54
27
AC运行试验条件
(VCC = 3.3V
±
0.3V ,T
A
= 0 〜70℃ )
参数
交流输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
+3.3V
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
单位
V
V
ns
V
V
tt
=1.4V
1200W
D
OUT
870W
50pF*
V
OH
(DC )= 2.4V时,我
OH
= -2mA
V
OL
( DC )= 0.4V时,我
OL
= 2毫安
(图1)的直流输出负载
(图2 ) AC输出负载电路
50W
D
OUT
Z0=50W
50pF
网址:
www.hbe.co.kr
REV.0.0 ( 2003年1月)。
6
韩光电器有限公司。