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    HSD2M64B2 参数 Datasheet PDF下载

    HSD2M64B2图片预览
    型号： HSD2M64B2
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 同步DRAM模块16兆字节（ 2Mx64位） ， SO -DIMM ， 4Banks ， 4K参考， 3.3V [Synchronous DRAM Module 16Mbyte (2Mx64-Bit), SO-DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 10 页 / 75 K
    品牌： HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
     浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HSD2M64B2的Datasheet PDF文件第10页  
    韩光
    CKE
    ≥
    V
    IH
    （分钟）
    I
    CC2
    NS
    CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大） ，
    t
    CC
    =∞
    10
    HSD2M64B2
    输入信号是稳定的
    活跃
    待机
    当前
    in
    I
    CC3
    P
    I
    CC3
    PS
    CKE
    ≤
    V
    IL
    （最大值），叔
    CC
    =10ns
    CKE&CLK
    ≤
    V
    IL
    （最大）
    t
    CC
    =∞
    CKE = V
    IH
    （ MIN）
    I
    CC3
    N
    CS * ≥V
    IH
    （ MIN）
    t
    CC
    =10ns
    30
    mA
    3
    mA
    3
    掉电模式
    在活动待机电流
    非掉电模式
    （一银行活动）
    输入信号被改变
    在20ns的一次
    CKE≥VIH （分钟）
    I
    CC3
    NS
    CLK
    ≤VIL （最大值） ，
    t
    CC
    =∞
    20
    输入信号是稳定的
    I
    O
    = 0毫安
    工作电流
    （突发模式）
    I
    CC4
    第一阵
    150
    4Banks激活
    t
    CCD
    = 2CLKs
    刷新当前
    自刷新电流
    I
    CC5
    I
    CC6
    t
    RC
    ≥
    t
    RC
    （分钟）
    CKE
    ≤
    0.2V
    160
    2
    450
    注意事项：
    1.测量与产出开放。
    2.刷新周期是64毫秒。
    3.除非另有注意到，输入摆幅级别CMOS （V
    IH
    /V
    IL
    =V
    DDQ
    /V
    SSQ
    ).
    150
    mA
    mA
    mA
    5
    3
    130
    mA
    2
    AC运行试验条件
    （VCC = 3.3V
    ±
    0.3V ，TA = 0 〜70 ° C）
    参数
    交流输入电平（ VIH / VIL）
    输入定时测量参考电平
    输入上升和下降时间
    输出定时测量参考电平
    输出负载条件
    价值
    2.4/0.4
    1.4
    TR / TF = 1/1
    1.4
    SEE图。 2
    单位
    V
    V
    Ns
    V
    网址： www.hbe.co.kr
    REV.1.0 （ August.2002 ）
    6
    韩光电器有限公司。

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