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HSD2M64B2 参数 Datasheet PDF下载

HSD2M64B2图片预览
型号: HSD2M64B2
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内容描述: 同步DRAM模块16兆字节( 2Mx64位) , SO -DIMM , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 16Mbyte (2Mx64-Bit), SO-DIMM, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 75 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
HSD2M64B2
AC特性
(交流工作条件,除非另有说明)
-8
参数
CLK周期时间
CAS
8
latency=3
t
CC
CAS
10
latency=2
CLK为有效
输出延迟
CAS
6
latency=3
t
SAC
CAS
6
latency=2
输出数据
保持时间
CLK高脉冲宽度
CLK低脉冲宽度
输入建立时间
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CLK到输出
在高阻
CAS
6
latency=3
t
SHZ
CAS
-
latency=2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿应该考虑,即, [ ( TR + TF ) / 2-1 ] ns的应加
的参数。
6
8
ns
6
ns
2
t
OH
t
CH
t
CL
t
SS
t
SH
t
SLZ
2.5
3
3
2
1
1
2.5
3.5
3.5
2.5
1
1
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
3
3
3
3
3
8
ns
1,2
6
12
1000
1000
ns
1
10
符号
最大
最大
最大
最大
-10
单位
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
8
韩光电器有限公司。