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HSD32M72D18A 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M72D18A图片预览
型号: HSD32M72D18A
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内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) ,与DIMM ECC基于16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), DIMM with ECC based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 178 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
直流工作条件
(推荐的操作条件(电压引用到VSS = 0V , TA = 0〜70 ℃))
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
HSD32M72D18A
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
( VCC = 3.3V , TA = 23 ° C,F = 1MHz时, VREF = 1.4V
±
200毫伏)
描述
时钟
/ RAS , / CAS , / WE , / CE , CKE , DQM
地址
DQ ( DQ0 〜 DQ7 )
符号
C
CLK
C
IN
C
添加
C
OUT
18
50
50
13
最大
25
95
95
18
单位
pF
pF
pF
pF
DC特性
(推荐的工作条件,除非另有说明, TA = 0〜70 ℃)下
参数
符号
TEST
条件
突发长度= 1
工作电流
(一银行活动)
预充电待机电流
in
掉电模式
预充电待机电流
in
非掉电模式
I
CC2
NS
I
CC3
P
I
CC3
PS
I
CC2
PS
I
CC1
t
RC
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
CKE
V
IL
(最大)
I
CC2
P
t
CC
=10ns
CKE & CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
CKE
V
IH
(分钟)
CS *
V
IH
(分钟) ,T
CC
=10ns
输入信号被改变
在20ns的一次
CKE
V
IH
(分钟)
CLK
V
IL
(最大值),叔
CC
=∞
输入信号是稳定的
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
=10ns
CKE&CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
18
18
mA
mA
2160
2160
1980
1980
mA
1
VERSION
单位
-13
-12
-10
10L
E
I
CC2
N
360
mA
126
90
mA
90
在活动待机电流
掉电模式
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
-5-
韩光电器有限公司。