欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

HSD32M72D18A 参数 Datasheet PDF下载

HSD32M72D18A图片预览
型号: HSD32M72D18A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 同步DRAM模组256Mbyte ( 32Mx72bit ) ,与DIMM ECC基于16Mx8 , 4Banks , 4K参考, 3.3V [Synchronous DRAM Module 256Mbyte (32Mx72bit), DIMM with ECC based on 16Mx8, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 178 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
 浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HSD32M72D18A的Datasheet PDF文件第10页  
韩光
输入保持时间
CLK到输出中低Z
CAS
CLK到输出
latency=3
CAS
在高阻
latency=2
t
SH
t
SLZ
t
SHZ
-
-
6
0.8
1
5.4
1
1
6
1
1
6
HSD32M72D18A
1
1
6
7
ns
ns
ns
ns
3
3
2
注意事项:
1.参数取决于编程CAS延迟。
2.如果时钟上升时间长于1ns的, (文/ 2-0.5 )纳秒应该被添加到该参数。
3.假设输入的上升和下降时间(tr & TF) = 1ns的。
如果TR & TF长于1ns的,短暂的时间补偿,应考虑
即, [ (文+ TF) / 2-1]纳秒应该被添加到该参数。
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
刷新
refres
h
条目
出口
CKE
n-1
H
H
L
H
CKE
n
X
H
L
H
X
/C
E
L
L
L
H
L
/R
A
S
L
L
H
X
L
/C
A
S
L
L
H
X
H
/W
E
L
H
H
X
H
D
Q
M
X
X
X
X
V
BA
0,1
A10/
AP
操作码
X
X
行地址
L
H
X
L
H
L
H
X
V
H
COLUMN
地址
(A0 ~ A9)
COLUMN
L
H
预充电
H
银行的选择
所有银行
条目
出口
条目
出口
H
H
L
H
L
H
H
X
H
L
X
X
L
H
L
H
L
L
H
L
X
H
L
H
L
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
H
X
H
X
H
H
H
X
V
X
X
H
X
V
L
L
X
V
X
X
H
X
V
X
X
X
X
X
X
X
V
X
X
X
7
V
X
L
H
X
X
L
H
L
L
X
V
H
X
X
地址
(A0 ~ A9)
4,5
6
4
4,5
4
A11
A9~A0
1,2
3
3
3
3
银行主动&行地址。
阅读&
COLUMN
地址
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
关闭
AUTO
关闭
突发停止
预充电
预充电
预充电
预充电
写&
COLUMN
地址
时钟暂停或
主动关机
预充电
Down模式
DQM
动力
没有操作命令
(V =有效,X =无关,H =逻辑高电平, L =逻辑低)
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 )
-8-
韩光电器有限公司。