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HSD8M32B4-10L 参数 Datasheet PDF下载

HSD8M32B4-10L图片预览
型号: HSD8M32B4-10L
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内容描述: 同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位)的基础上4Mx16 , 4Banks , 4K参考144pin SO -DIMM 。 , 3.3V [Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 144pin SO-DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 108 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
直流工作条件
(推荐的操作条件(电压引用到VSS = 0V , TA = 0〜70 ℃))
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压
输出低电压
符号
VCC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
3.0
2.0
-0.3
2.4
-
典型值。
3.3
3.0
0
-
-
最大
3.6
Vcc+0.3
0.8
-
0.4
HSD8M32B4
单位
V
V
V
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= 2毫安
3
输入漏电流
I
LI
-10
-
10
uA
注意事项:
1. V
IH
(最大)= 5.6伏交流电。过冲电压的持续时间
3ns.
2. V
IL
(分钟) = -2.0V交流。下冲电压持续时间
3ns.
3.任何输入0V
V
IN
V
DDQ
.
输入漏电流包括高阻输出漏所有双向缓冲器,三态输出。
电容
( VCC = 3.3V , TA = 23 ° C,F = 1MHz时, VREF = 1.4V
±
200毫伏)
描述
地址( A0 〜 A11 , BA0 〜 BA1 )
/ RAS , / CAS , / WE
CKE(CKE0)
时钟( CLK0 )
/ CE ( / CE1 )
DQM ( DQM0 〜 DQM3 )
DQ ( DQ0 〜 DQ31 )
注意事项:
1.
–13
只有指定的3.5pF的最大值
2.
–13
只有指定3.8pF的最大值
符号
C
添加
C
IN
C
CKE
C
CLK
C
CS
C
DQM
C
OUT
10
10
10
10
10
10
16
最大
20
20
20
16
20
20
26
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
2
2
2
1
2
2
3
3.
13只指定6.0pF的最大值
DC特性
(推荐的工作条件,除非另有说明, TA = 0〜70 ℃)下
TEST
参数
符号
条件
突发长度= 1
工作电流
(一银行活动)
I
CC1
t
RC
t
RC
(分钟)
I
O
= 0毫安
I
CC2
P
CKE
V
IL
(最大)
t
CC
=10ns
CKE & CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
4
mA
韩光电器有限公司
VERSION
单位
-13
-12
-10
-10L
440
440
400
400
mA
1
4
mA
预充电待机电流在
掉电模式
I
CC2
PS
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 ) 。
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