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HSD8M32B4-10L 参数 Datasheet PDF下载

HSD8M32B4-10L图片预览
型号: HSD8M32B4-10L
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内容描述: 同步DRAM模块32Mbyte ( 8M ×32位)的基础上4Mx16 , 4Banks , 4K参考144pin SO -DIMM 。 , 3.3V [Synchronous DRAM Module 32Mbyte ( 8M x 32-Bit ) 144pin SO-DIMM based on 4Mx16, 4Banks, 4K Ref., 3.3V]
分类和应用: 存储动态存储器
文件页数/大小: 11 页 / 108 K
品牌: HANBIT [ HANBIT ELECTRONICS CO.,LTD ]
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韩光
CKE
V
IH
(分钟)
I
CC2
N
预充电待机电流在
在20ns的一次
非掉电模式
I
CC2
NS
CKE
V
IH
(分钟)
CLK
V
IL
(最大) ,
t
CC
=∞
24
CS *
V
IH
( MIN)
t
CC
=10ns
60
HSD8M32B4
输入信号被改变
mA
输入信号是稳定的
活跃
待机
当前
in
I
CC3
P
I
CC3
PS
CKE
V
IL
(最大值),叔
CC
=10ns
CKE&CLK
V
IL
(最大)
t
CC
=∞
CKE = V
IH
( MIN)
I
CC3
N
CS * ≥V
IH
( MIN)
t
CC
=10ns
100
mA
12
mA
12
掉电模式
在活动待机电流
非掉电模式
(一银行活动)
输入信号被改变
在20ns的一次
CKE≥VIH (分钟)
I
CC3
NS
CLK
≤VIL (最大值) ,
t
CC
=∞
60
输入信号是稳定的
I
O
= 0毫安
工作电流
(突发模式)
I
CC4
第一阵
540
4Banks激活
t
CCD
= 2CLKs
刷新当前
自刷新电流
I
CC5
I
CC6
t
RC
t
RC
(分钟)
CKE
0.2V
540
520
4
1.6
注意事项:
1.测量与产出开放。
2.刷新周期是64毫秒。
3.除非另有注意到,输入摆幅级别CMOS (V
IH
/V
IL
=V
DDQ
/V
SSQ
).
500
500
mA
mA
mA
2
G
F
520
500
500
mA
1
AC运行试验条件
(VCC = 3.3V
±
0.3V ,TA = 0 〜70 ° C)
参数
交流输入电平( VIH / VIL)
输入定时测量参考电平
输入上升和下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载条件
价值
2.4/0.4
1.4
TR / TF = 1/1
1.4
SEE图。 2
单位
V
V
ns
V
网址: www.hbe.co.kr
REV.1.0 ( August.2002 ) 。
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韩光电器有限公司