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    IRFBC40 参数 Datasheet PDF下载

    IRFBC40图片预览
    型号： IRFBC40
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 6.2A和5.4A ， 600V ， 1.2和1.6 Ohm的N通道功率MOSFET [6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 7 页 / 70 K
    品牌： HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
     浏览型号IRFBC40的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRFBC40的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRFBC40的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRFBC40的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRFBC40的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRFBC40的Datasheet PDF文件第7页  
    半导体
    IRFBC40,
    IRFBC42
    6.2A和5.4A ， 600V ， 1.2和1.6欧姆，
    N沟道功率MOSFET
    描述
    这些都是N沟道增强型硅栅
    电源连接的场效晶体管。他们是高级电源
    的MOSFET设计，测试并保证能经受
    能在雪崩击穿特定模式网络版水平
    的操作。所有这些功率MOSFET设计用于
    应用，如开关稳压器，开关转换
    器，电机驱动器，继电器驱动器，驱动器和高功率
    双极开关晶体管需要高速和低
    栅极驱动电源。这些类型可以直接从被操作
    集成电路。
    以前发育类型TA17426 。
    1998年1月
    特点
    • 6.2A和5.4A ， 600V
    • r
    DS （ ON）
    = 1.2Ω和1.6Ω
    •重复额定雪崩能量
    •简单的驱动要求
    •易于并联的
    •相关文献
    - TB334 “指南焊锡表面贴装
    组件到PC板“
    订购信息
    产品型号
    IRFBC40
    IRFBC42
    包
    TO-220AB
    TO-220AB
    BRAND
    IRFBC40
    IRFBC42
    G
    符号
    D
    注：订购时，包括整个零件编号。
    S
    包装
    JEDEC TO- 220AB
    来源
    漏
    门
    漏极（法兰）
    注意：这些器件对静电放电敏感。用户应遵循正确的ESD处理程序。
    版权
    ©
    1997年哈里斯公司
    网络文件编号
    2157.2
    5-1

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