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IRFBC40 参数 Datasheet PDF下载

IRFBC40图片预览
型号: IRFBC40
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内容描述: 6.2A和5.4A , 600V , 1.2和1.6 Ohm的N通道功率MOSFET [6.2A and 5.4A, 600V, 1.2 and 1.6 Ohm, N-Channel Power MOSFETs]
分类和应用:
文件页数/大小: 7 页 / 70 K
品牌: HARRIS [ HARRIS CORPORATION ]
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IRFBC40 , IRFBC42
典型性能曲线
10
2
I
SD
,源极到漏极电流(A)
漏极至源极导通电阻
除非另有规定编
(续)
5.0
为80μs脉冲测试
4.0
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
1
3.0
V
GS
= 10V
2.0
V
GS
= 20V
1.0
0.1
0
0
0.3
0.6
0.9
1.2
V
SD
,源极到漏极电压( V)
1.5
0
6
12
18
I
D,
漏电流( A)
24
30
图8.源极到漏极二极管电压
图9.漏极至源极导通电阻VS门
电压和漏极电流
3.0
归一漏极至源极
抗性
归一漏极至源极
击穿电压
I
D
= 3.4A
V
GS
= 10V
2.4
1.25
I
D
= 250µA
1.15
1.8
1.05
1.2
0.95
0.6
0.85
0
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0.75
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
J
,结温(
o
C)
T
J
,结温(
o
C)
图10.归一漏极至源极ON
电阻与结温
图11.归一漏极至源极击穿
电压Vs结温
3000
g
fs
,跨导( S)
V
GS
= 0V , F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
GS
+ C
GD
C
RSS
= C
GD
C
OSS
C
DS
+ C
GD
10
V
DS
100V
为80μs脉冲测试
T
J
= 25
o
C
2400
C,电容(pF )
8
1800
C
国际空间站
6
T
J
= 150
o
C
1200
C
OSS
600
C
RSS
0
0
2
10
20
50
5
V
DS ,
漏源极电压( V)
10
2
4
2
0
0
2
4
6
I
D,
漏电流( A)
8
10
图12.电容VS漏源极电压
图13.跨VS漏极电流
5-5