2SJ319 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SJ319
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内容描述：	硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
分类和应用：
文件页数/大小：	9 页 / 48 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

2SJ319(L), 2SJ319(S)

Reverse Drain Current vs.

Source to Drain Voltage

–5

Reverse Drain Current I

(A)

Pulse Test

–4

–3

–2

–10 V

= 0, 5 V

–1

–0.4

–0.8

–1.2

–1.6

(V)

–2

Source to Drain Voltage

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width

Normalized Transient Thermal Impedance

s (t)

Tc = 25°C

D=1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.0

0.3

0.1

ch – c(t) =

s (t) •

ch – c

ch – c = 6.25 °C/W, Tc = 25 °C

lse

PDM

0.03

0.01

10 µ

100 µ

10 m

Pulse Width

100 m

PW (S)

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