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    2SJ399 参数 Datasheet PDF下载

    2SJ399图片预览
    型号： 2SJ399
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    内容描述： 硅P沟道MOS场效应管 [Silicon P-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 7 页 / 39 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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    2SJ399
    Typical Capacitance vs.
    Drain to Source Voltage
    100
    50
    Capacitance C (pF)
    Switching Time t (ns)
    20
    10
    5
    2
    1
    0.5
    0.2
    0.1
    0
    –10
    Crss
    –20
    –30
    V
    GS
    = 0
    f = 1 MHz
    –40
    –50
    Ciss
    Coss
    5000
    10000
    Switching Characteristics
    tf
    t d(off)
    tr
    t d(on)
    2000
    1000
    500
    200
    100
    V
    GS
    = –10 V
    PW = 5 µs
    –0.2
    –0.5
    –1
    –2
    Drain Current I
    D
    (A)
    –5
    –0.1
    Drain to Source Voltage V
    DS
    (V)
    Reverse Drain Current vs.
    Source to Drain Voltage
    –0.5
    Reverse Drain Current I
    DR
    (A)
    Pulse Test
    –0.4
    –10 V
    –0.3
    V
    GS
    = 0
    –0.2
    –5 V
    –0.1
    0
    –0.4
    –0.8
    –1.2
    –1.6
    –2.0
    Source to Drain Voltage
    V
    SD
    (V)
    5

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