欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK1153 参数 Datasheet PDF下载

2SK1153图片预览
型号: 2SK1153
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 51 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1153的Datasheet PDF文件第9页  
2SK1153, 2SK1154
Reverse Drain Current vs.
Source to Drain Voltage
5
Reverse Drain Current I
DR
(A)
Pulse Test
4
3
2
1
5 V, 10 V
V
GS
=0, –10 V
0
0.4
0.8
1.2
1.6
Source to Drain Voltage V
SD
(V)
2.0
Normalized Transient Thermal Impedance
γ
S
(t)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width
3
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
1.0
T
C
= 25°C
0.1
0.05
0.02
0.03
0.01
10
µ
lse
0.01
t Pu
ho
1S
100
µ
1m
10 m
Pulse Width PW (s)
θch–c(t)
=
γ
S
(t) ·
θch–c
θch–c
= 4.17°C/W, T
C
= 25°C
P
DM
D = PW
T
PW
T
100 m
1
10
Switching Time Test Circuit
Vin Monitor
Vout Monitor
D.U.T
R
L
Vin
Vout
50
Vin = 10 V
.
V
DD
= 30 V
.
td (on)
90 %
tr
90 %
td (off)
tf
10 %
10 %
10 %
Wavewforms
90 %
7