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    2SK1161 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1161图片预览
    型号： 2SK1161
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 6 页 / 37 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1161的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1161的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1161的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1161的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1161的Datasheet PDF文件第6页  
    2SK1161, 2SK1162
    Absolute Maximum Ratings
    (Ta = 25°C)
    Item
    Drain to source voltage
    2SK1161
    2SK1162
    Gate to source voltage
    Drain current
    Drain peak current
    Body to drain diode reverse drain current
    Channel dissipation
    Channel temperature
    Storage temperature
    Notes: 1. PW
    ≤
    10
    µs,
    duty cycle
    ≤
    1%
    2. Value at T
    C
    = 25°C
    V
    GSS
    I
    D
    I
    D(pulse)
    *
    1
    I
    DR
    Pch*
    2
    Tch
    Tstg
    Symbol
    V
    DSS
    Ratings
    450
    500
    ±30
    10
    30
    10
    100
    150
    –55 to +150
    V
    A
    A
    A
    W
    °C
    °C
    Unit
    V
    2

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