欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
会员中心
企业资讯   人才招聘  
电子百科

电子百科

Datasheet下载 IC品牌 缩略语 技术文章 IC型号

产品导航

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789
PDF
  • 产品
  • PDF

    • 最近搜索

    热门搜索

    搜索
    发布采购

    2SK1666 参数 Datasheet PDF下载

    2SK1666图片预览
    型号： 2SK1666
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
    文件页数/大小： 9 页 / 49 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK1666的Datasheet PDF文件第9页  
    2SK1666  
    Reverse Drain Current vs.  
    Source to Drain Voltage  
    100  
    80  
    Pulse Test  
    60  
    40  
    20  
    VGS = 10 V  
    0, –5 V  
    1.6  
    4 V  
    0
    0.4  
    0.8  
    1.2  
    2.0  
    Source to Drain Voltage VSD (V)  
    Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width  
    3
    D = 1  
    0.5  
    TC = 25°C  
    1.0  
    0.3  
    0.1  
    0.2  
    0.1  
    θch–c (t) = γS (t) · θch–c  
    θch–c = 2.08°C/W, TC = 25°C  
    0.05  
    PDM  
    0.02  
    PW  
    D =  
    0.03  
    0.01  
    T
    PW  
    T
    10 µ  
    100 µ  
    1 m  
    10 m  
    100 m  
    1
    10  
    Pulse Width PW (s)  
    7

    IC37:专业IC行业平台

    专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯，Datasheet 1000万数据，IC品牌1000多家。

    网站导航 Datasheet资料库 电子术语 电子百科
    服务中心 常见问题 委托交易 会员服务
    关于我们 公司简介 联系我们 免责申明

    产品索引：ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ0123456789

    深圳网络警察报警平台 公共信息安全网络监察 经营性网站备案信息 不良信息举报中心 工商网监电子标识 全国公安机关备案
    服务电话： 0755-32882616 0755-32882606 0755-32882608 0755-32882607 值班和投诉电话：13715251531 ©2004-2024 IC37网 版权所有：ic37.com 版权申明 公网安备44030402000606 粤ICP备13051289号-6