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2SC4784 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2SC4784
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 71 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC4784
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
Tj
TSTG
评级
15
8
1.5
20
100
150
-55到+150
单位
V
V
V
mA
mW
°C
°C
电气特性
( TA = 25°C )
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
直流电流传输比
集电极输出电容
增益带宽积
功率增益
噪声系数
注:标记为“宝丽雅” 。
I
EBO
h
FE
COB
f
T
PG
NF
50
7.0
12.0
典型值
120
0.45
10.0
15.0
1.2
最大
10
1
10
250
0.8
2.5
pF
GHz的
dB
dB
单位
µA
mA
µA
测试条件
V
CB
= 15 V,I
E
= 0
V
CE
= 8 V ,R
BE
=
V
EB
= 1.5 V,I
C
= 0
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CB
= 5 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安
V
CE
= 5 V,I
C
= 10毫安,
F = 900兆赫
V
CE
= 5 V,I
C
= 5毫安,
F = 900兆赫
注意:这是静电sensitve设备。
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