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2SC4784 参数 Datasheet PDF下载

2SC4784图片预览
型号: 2SC4784
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内容描述: NPN硅外延 [Silicon NPN Epitaxial]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 71 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SC4784
S11参数与频率的关系
.8
1
S21参数与频率的关系
90°
2
3
4
5
10
0
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
10
.6
.4
.2
1.5
规模: 0.8 / DIV 。
60°
120°
150°
30°
180°
–10
–.2
–.4
–.6
–.8
–1
–1.5
–2
–5
–4
–3
–150°
–120°
–60°
–90°
–30°
条件: V
CE
= 1 V ,莫宁= 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 0.5 mA)的
(I
C
= 1 mA)的
条件: V
CE
= 1 V ,莫宁= 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 0.5 mA)的
(I
C
= 1 mA)的
S12参数与频率的关系
S22参数与频率的关系
90°
120°
规模: 0.06 / DIV 。
60°
.4
150°
30°
.2
180°
.2
.4
.6 .8 1.0 1.5 2
3 45
.6
.8
1
1.5
2
3
4
5
10
10
0
–10
–150°
–120°
–60°
–90°
–30°
–.2
–.4
–.6
–2
–5
–4
–3
–1.5
–.8 –1
条件: V
CE
= 1 V ,莫宁= 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 0.5 mA)的
(I
C
= 1 mA)的
条件: V
CE
= 1 V ,莫宁= 50
200至2000兆赫( 200兆赫步骤)
(I
C
= 0.5 mA)的
(I
C
= 1 mA)的
6