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2SK1517 参数 Datasheet PDF下载

2SK1517图片预览
型号: 2SK1517
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 52 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1517 , 2SK1518
功率与温度降额
150
通道耗散P沟(W)的
100
O
在林
ITE离子
d。在
由次
R是
a
re
a
最高安全工作区
30
漏电流I
D
(A)
100
10
3
1
0.3
D
C
PW
O
10
=
1
m
10
0
µ
s
(o
n)
µ
s
DS
50
s
PE 10
m
ra
蒂奥S(
1
n
(T嘘
ot
C
=
25 )
°C
)
TA = 25°C
0.1
0
50
100
案例温度T
C
(°C)
150
1
2SK1518
2SK1517
3
30
10
100 300 1,000
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
50
10 V
40
漏电流I
D
(A)
脉冲测试
30
漏电流I
D
(A)
7V
6V
16
20
典型的传输特性
V
DS
= 20 V
脉冲测试
12
20
5V
8
75°C
25°C
T
C
= – 25°C
10
V
GS
= 4 V
0
10
30
40
20
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
4
0
2
6
8
4
10
栅极至源极电压V
GS
(V)
4