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2SK1517 参数 Datasheet PDF下载

2SK1517图片预览
型号: 2SK1517
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 9 页 / 52 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK1517 , 2SK1518
体漏二极管反向
恢复时间
5,000
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
的di / dt = 100 A / μs的,TA = 25℃
V
GS
= 0
脉冲测试
10,000
西塞
电容C (PF )
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
典型的电容比。
漏源极电压
2,000
1,000
500
1,000
科斯
200
100
50
0.5
100
CRSS
10
1
2
5
10
20
反向漏电流I
DR
(A)
50
0
20
10
30
40
漏极至源极电压V
DS
(V)
50
动态输入特性
500
漏极至源极电压V
DS
(V)
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
DD
= 100 V
250 V
400 V
V
DS
300
V
GS
20
500
开关特性
t
D(关闭)
开关时间t( NS )
200
100
50
t
f
t
r
400
16
12
t
D(上)
200
V
DD
= 400 V
250V
100 V
I
D
= 20 A
8
20
V
GS
= 10 V V
DD
= 30 V
10 PW = 2
µs,
值班< 1 %
100
4
0
40
120
160
80
栅极电荷Qg ( NC )
0
200
5
0.5
1
2
5
10
20
漏电流I
D
(A)
50
6