欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

2SK2202 参数 Datasheet PDF下载

2SK2202图片预览
型号: 2SK2202
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 50 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2SK2202的Datasheet PDF文件第9页  
2SK2202
功率与温度降额
40
P沟(W)的
I
D
(A)
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
50
100
150
TC ( ℃)
200
2
外壳温度
TA = 25℃
5
10
20
50 100 200
漏极至源极电压V
DS
(V)
DC
PW
最高安全工作区
10 µs
10
0
µs
m
s
30
1
=
10
m
s
O
散热通道
漏电流
20
ho
操作
c
t)
=
这个区域是
25
限于由R
DS ( ON)
°C
pe
ra
TIO
n
(T
(1
s
)
10
典型的输出特性
10
10 V
I
D
(A)
8
6V
4V
3.5 V
6
3V
(A)
8
脉冲测试
10
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
I
D
漏电流
漏电流
6
4
4
TC = -25°C
25 °C
75 °C
1
2
3
栅极至源极电压
4
V
GS
(V)
5
2
V
GS
= 2.5 V
2
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
4