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2SK2202 参数 Datasheet PDF下载

2SK2202图片预览
型号: 2SK2202
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内容描述: 硅N沟道MOS FET [Silicon N-Channel MOS FET]
分类和应用: 晶体晶体管开关脉冲局域网
文件页数/大小: 10 页 / 50 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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2SK2202
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
脉冲测试
I
D
= 5 A
漏极至源极导通电阻
R
DS ( ON)
(
)
漏极至源极饱和电压
V
DS ( ON)
(V)
2.0
静态漏极至源极通电阻
与漏电流
5
1.6
2
1
0.5
脉冲测试
1.2
0.8
2A
0.4
1A
V
GS
= 4 V
10 V
0.2
0.1
0.1 0.2
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
V
GS
(V)
20
0.5 1
2
5
10
漏电流I
D
(A)
20
静态漏极至源极通态电阻
R
DS ( ON)
(
)
正向转移导纳| YFS | ( S)
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
1.0
脉冲测试
I
D
=5A
2A
1A
V
GS
= 4 V
5A
1, 2 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
10
5
V
DS
= 10 V
脉冲测试
TC = 75℃
25 °C
–25 °C
0.8
2
1
0.5
0.6
0.4
0.2
0
–40
10 V
0.2
0.1
0.1
0
40
80
120
160
壳温度( ° C)
0.2
0.5
1
2
5
10
漏电流I
D
(A)
5