HAT2025R 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HAT2025R
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内容描述：	硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用：	晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小：	9 页 / 54 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

HAT2025R

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

体漏二极管的反向漏电流

散热通道

通道温度

储存温度

注意：

符号

DSS

GSS

D(pulse)Note1

PCH

Note2

总胆固醇

TSTG

评级

2.5

150

- 55至+ 150

单位

°C

1. PW

≤

为10μs ，占空比

≤

1 %

2.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）， PW≤ 10秒

电气特性

（ TA = 25°C ）

项

符号最小值

—

1.3

—

典型值

—

0.019

0.030

660

510

130

265

0.8

最大

—

2.4

0.026

0.050

—

1.3

—

单位

µA

Ω

IF = 8 A，V

= 0

Note3

IF = 8 A，V

= 0

DIF / DT = 20 A / μs的

测试条件

= 10 mA时， V

= 0

100

µA,

= 0

16 V, V

= 0

= 30 V, V

= 0

= 10 V，I

= 1毫安

= 4 A，V

= 10 V

Note3

= 4 A，V

= 4.5 V

Note3

= 4 A，V

= 10 V

Note3

= 10 V

= 0

F = 1MHz的

= 4 V，I

= 4 A

≅

10 V

漏源击穿电压V

（ BR ） DSS

栅极至源极击穿电压V

（ BR ） GSS

门源漏电流

零门voltege漏电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向电压

体漏二极管的反向

恢复时间

注意：

3.脉冲测试

GSS

DSS

GS （ OFF ）

DS （ ON）

西塞

科斯

CRSS

D（上）

D（关闭）

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