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HAT2025R 参数 Datasheet PDF下载

HAT2025R图片预览
型号: HAT2025R
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内容描述: 硅N沟道功率MOS FET高速电源开关 [Silicon N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲电源开关光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 54 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HAT2025R
体漏二极管的反向
恢复时间
10000
3000
1000
300
100
CRSS
30
10
10
0
10
20
30
40
50
漏极至源极电压V
DS
(V)
西塞
科斯
典型的电容比。
漏源极电压
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
500
反向恢复时间trr ( NS )
100
50
20
10
5
0.1
的di / dt = 20A / μs的
V
GS
= 0 , TA = 25℃
0.2
0.5
1
2
反向漏电流
5
I
DR
(A)
电容C (PF )
200
动态输入特性
开关特性
V
GS
(V)
栅极至源极电压
50
20
I
D
= 8 A
1000
V
GS
= 4 V, V
DD
= 10 V
500 PW = 3微秒,占空比< 1 %
V
DS
(V)
漏源极电压
30
V
DS
V
DD
= 5 V
10 V
25 V
V
GS
V
DD
= 25 V
10 V
5V
4
8
12
16
栅极电荷Qg ( NC )
开关时间t( NS )
40
16
12
200
100
50
tr
20
8
tf
吨D(关闭)
吨D(上)
10
4
0
20
20
10
0.1
0
0.2
0.5
1
漏电流
2
5
I
D
(A)
10
5