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    HM624100HJP-12 参数 Datasheet PDF下载

    HM624100HJP-12图片预览
    型号： HM624100HJP-12
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4M高速SRAM （ 1 - MWORD X 4 - BIT ） [4M High Speed SRAM (1-Mword x 4-bit)]
    分类和应用： 静态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 75 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM624100HJP-12的Datasheet PDF文件第9页  
    HM624100H系列
    手术床
    CS
    H
    L
    L
    L
    L
    注意：
    OE
    ×
    H
    L
    H
    L
    ×:
    H或L
    WE
    ×
    H
    H
    L
    L
    模式
    待机
    输出禁用
    读
    写
    写
    V
    CC
    当前
    I
    SB
    , I
    SB1
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I
    CC
    I / O
    高-Z
    高-Z
    DOUT
    DIN
    DIN
    参考文献。周期
    —
    —
    读周期（ 1 ）至（ 3 ）
    写周期（ 1）
    写周期（ 2）
    绝对最大额定值
    参数
    电源电压相对于V
    SS
    任何引脚相对于V电压
    SS
    功耗
    工作温度
    储存温度
    在偏置存储温度
    符号
    V
    CC
    V
    T
    P
    T
    TOPR
    TSTG
    Tbias
    价值
    -0.5到+7.0
    –0.5*
    1
    到V
    CC
    +0.5*
    2
    1.0
    0至+70
    -55到+125
    -10至+85
    单位
    V
    V
    W
    °C
    °C
    °C
    注意事项： 1， V
    T
    （分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄）
    ≤
    8纳秒
    2. V
    T
    （MAX） = V
    CC
    + 2.0V的脉冲宽度（过冲）
    ≤
    8纳秒
    建议的直流工作条件
    （大= 0至+ 70 ° C）
    参数
    电源电压
    符号
    V
    CC
    *
    3
    V
    SS
    *
    4
    输入电压
    V
    IH
    V
    IL
    注：1 。
    2.
    3.
    4.
    民
    4.5
    0
    2.2
    –0.5*
    1
    典型值
    5.0
    0
    —
    —
    最大
    5.5
    0
    V
    CC
    + 0.5*
    2
    0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    V
    IL
    （分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄）
    ≤
    8纳秒
    V
    IH
    （MAX） = V
    CC
    + 2.0V的脉冲宽度（过冲）
    ≤
    8纳秒
    与所有V电源电压
    CC
    销必须在同一水平上。
    与所有V电源电压
    SS
    销必须在同一水平上。
    4

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