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HM6264ALSP-10 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HM6264ALSP-10
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内容描述: 8192字×8位高速CMOS静态RAM [8192-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 55 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HM6264A系列
参数
输入漏电流
符号
|I
LI
|
典型值
最大
2
2
单位
µA
µA
测试条件
VIN = V
SS
到V
CC
HM6264A系列
DC和工作特性
(V
CC
= 5 V ± 10%,V
SS
= 0 V ,TA = 0〜 + 70 ° C)
输出漏电流| I
LO
|
CS1
= V
IH
或CS2 = V
IL
or
OE
= V
IH
or
WE
= V
IL
, V
I / O
= V
SS
到V
CC
CS1
= V
IL
, CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
工作电源
电源电流
平均开工
当前
I
CCDC
7
15
mA
I
CC1
30
30
3
45
*5
55
*6
5
mA
分钟。周期,占空比为100 % ,
CS1
= V
IL
, CS2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
周期时间= 1微秒,占空比为100 % ,
I
I / O
= 0 mA时,
CS1
0.2 V,
CS2
V
CC
– 0.2 V, V
IH
V
CC
– 0.2 V,
V
IL
0.2 V
CS1
= V
IH
或CS2 = V
IL
I
CC2
mA
备用电源我
SB
当前
I
SB1 * 2
1
3
mA
0.02 2
mA
CS1
V
CC
- 0.2 V , CS2
V
CC
- 0.2 V或
————————————
2
*3
100
*3
µA
0 V
CS2
0.2 V, 0 V
VIN
—————————
2
*4
50
*4
2.4
0.4
V
V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
输出电压
V
OL
V
OH
注:1 。
2.
3.
4.
5.
6.
典型值是在V
CC
= 5.0 V , TA = 25 ℃,并不能保证。
V
IL
分= -0.3 V
这些特征仅在L -版本保证。
这些特征仅用于上述LL -版本保证。
120纳秒/ 150 ns的版本。
100 ns的版本。
电容
( F = 1MHz时, TA = 25 ° C)
*1
参数
输入电容
输入/输出电容
注意:
符号
CIN
C
I / O
典型值
最大
5
7
单位
pF
pF
测试条件
VIN = 0 V
V
I / O
= 0 V
1,这个参数进行采样,而不是100%测试。
4