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    HM62832UHJP-15 参数 Datasheet PDF下载

    HM62832UHJP-15图片预览
    型号： HM62832UHJP-15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256千高速SRAM （ 32千字8位） [256 k High Speed SRAM (32-kword 8-bit)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 106 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第9页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第10页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第12页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第13页  
    HM62832UH系列
    低V
    CC
    数据保持特性
    （大= 0至+ 70 ° C）
    这个特点是只对L-版本保证。
    参数
    V
    CC
    数据保留
    符号
    V
    DR
    民
    2
    典型值
    —
    最大
    —
    单位
    V
    测试条件
    CS
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V,
    VIN
    ≥
    V
    CC
    - 0.2 V或
    0 V输入电压<
    ≤
    0.2 V
    数据保持电流
    I
    CCDR
    —
    0
    5
    2
    —
    —
    50
    *1
    —
    —
    µA
    ns
    ms
    芯片取消到数据保留时间t
    CDR
    手术恢复时间
    注意：
    1. V
    CC
    = 3.0 V
    t
    R
    低V
    CC
    数据保留时序波形
    数据保持方式
    V
    CC
    4.5 V
    t
    CDR
    2.2 V
    V
    DR
    CS
    0V
    CS
    ≥
    V
    CC
    – 0.2 V
    t
    R
    11

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