HM62832UH系列
读时序波形（ 3 ）
*1, *2
（WE = V
IH
,
OE
= V
IL
)
t
RC
CS
t
ACS
t
CLZ
DOUT
有效数据
t
CHZ
注意事项： 1，转换测量
±200
毫伏从稳态电压与负载（B ） 。此参数
进行采样，而不是100 ％测试。
2.Address之前或重合有效
CS
变为低电平。
写周期
HM62832UH-15
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址有效到写结束
地址建立时间
把脉冲宽度
*2
写恢复时间
*3
输出禁用输出高阻
*1, 4
写在高Z输出
*1, 4
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
*6
输出写入结束活动
*1, 6
从地址变更输出保持
*5
符号
t
WC
t
CW
t
AW
t
AS
t
WP
t
WR
t
OHZ
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
OH
民
15
10
13
0
10
0
0
0
8
0
3
3
最大
—
—
—
—
—
—
7
7
—
—
—
—
HM62832UH-20
民
20
12
15
0
12
0
0
0
10
0
3
3
最大
—
—
—
—
—
—
10
10
—
—
—
—
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项： 1，转换测量
±200
从毫伏与负载（B ）高阻抗电压。这个参数是
采样，而不是100 ％测试。
2.在重叠（ T A写操作
WP
）到低
CS
和一个低
WE 。
3. t
WR
从earlied测量或
CS
or
WE
变高到写周期的结束。
4.在此期间， I / O引脚处于输出状态，以使相反的相位与输入信号
的输出不能被应用。
5. Dout为这个写周期写入数据的相位相同。
6.如果
CS
低本priod期间， I / O引脚的输出状态。的，则数据输入信号
相位相反的输出不能被应用于它们。
8
HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
