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    HM62832UHJP-15 参数 Datasheet PDF下载

    HM62832UHJP-15图片预览
    型号： HM62832UHJP-15
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 256千高速SRAM （ 32千字8位） [256 k High Speed SRAM (32-kword 8-bit)]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 13 页 / 106 K
    品牌： HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第2页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第3页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第5页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第6页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第7页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第8页浏览型号HM62832UHJP-15的Datasheet PDF文件第9页  
    HM62832UH系列
    绝对最大额定值
    参数
    电源电压
    *1
    任何引脚相对于V电压
    SS *1
    功耗
    工作温度
    储存温度
    在偏置存储温度
    符号
    V
    CC
    V
    T
    P
    T
    TOPR
    TSTG
    Tbias
    价值
    –0.5
    *2
    到+7.0
    –0.5
    *2
    到V
    CC
    + 0.5
    1.0
    0至+70
    -55到+125
    -10至+85
    单位
    V
    V
    W
    °C
    °C
    °C
    注：1。对于V
    SS
    2. V
    CC
    和V
    T
    分= -2.5 V的脉冲宽度
    ≤
    10纳秒
    建议的直流工作条件
    （大= 0至+ 70 ° C）
    参数
    电源电压
    符号
    V
    CC
    V
    SS
    输入高电平（逻辑1 ）电压
    输入低电平（逻辑0 ）电压
    注意：
    V
    IH
    V
    IL
    民
    4.5
    0
    2.2
    –0.5
    *1
    典型值
    5.0
    0
    —
    —
    最大
    5.5
    0
    V
    CC
    + 0.5
    0.8
    单位
    V
    V
    V
    V
    1. V
    IL
    分= -2.0 V的脉冲宽度
    ≤
    10纳秒
    4

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