HM628512CLFPI-7 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HM628512CLFPI-7
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内容描述：	宽温度范围版本的4M SRAM （ 512千字×8位） [Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit)]
分类和应用：	内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小：	17 页 / 85 K
品牌：	HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]

HM628512CI系列

DC特性

（ TA = -40 〜+ 85℃ ，V

= 5 V

±10%

, V

= 0 V)

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流： DC

工作电源电流

符号

CC1

民

—

典型*

最大

—

单位

µA

测试条件

VIN = V

到V

= V

, V

I / O

= V

到V

= V

其他= V

, I

I / O

= 0毫安

闵周期，占空比= 100 ％

= V

，其他= V

I / O

= 0毫安

循环时间= 1

µs,

占空比= 100 ％

I / O

= 0 mA时，

≤

0.2 V

≥

– 0.2 V, V

≤

0.2 V

= V

VIN

≥

0 V,

≥

– 0.2 V

= 2.1毫安

= -1.0毫安

工作电源电流

CC2

—

备用电源电流： DC

—

2.4

—

100*

0.4

—

µA

备用电源电流（ 1 ）： DC I

SB1

输出低电压

输出高电压

注：1。典型值是在V

= 5.0 V ，TA = + 25 ° C和指定的加载，并不能保证。

2.该特征仅在L-版本保证。

电容

（ TA = + 25 ° C，F = 1兆赫）

参数

输入电容*

输入/输出电容*

注意：

符号

CIN

I / O

典型值

—

最大

单位

测试条件

VIN = 0 V

I / O

= 0 V

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

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