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HM628512CLFPI-7 参数 Datasheet PDF下载

HM628512CLFPI-7图片预览
型号: HM628512CLFPI-7
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内容描述: 宽温度范围版本的4M SRAM ( 512千字×8位) [Wide Temperature Range Version 4 M SRAM (512-kword x 8-bit)]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 17 页 / 85 K
品牌: HITACHI [ HITACHI SEMICONDUCTOR ]
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HM628512CI系列
写周期
HM628512CI
-7
参数
写周期时间
芯片的选择要写入的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
把脉冲宽度
写恢复时间
WE
在高Z输出
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
输出输出活跃在高阻
输出禁用输出高阻
符号
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
t
OHZ
70
60
0
60
50
0
0
30
0
5
0
最大
25
25
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
2
1, 2, 7
3, 12
6
1, 2, 7
4
5
笔记
注:1。吨
HZ
, t
OHZ
和T
WHZ
被定义为时间,让输出达到开路条件和
未提及的输出电压电平。
2.这个参数进行采样,而不是100 %测试。
3.在重叠( T A写操作
WP
)低
CS
和一个低
WE 。
一开始写在后面
过渡
CS
变低或
WE
变低。在早期的过渡写入结束
CS
去高
or
WE
要高。吨
WP
从写入的开始写的末端测量。
4. t
CW
从测
CS
变低,以写的末尾。
5. t
AS
从地址有效到写的开始测量的。
6. t
WR
是从较早的测量
WE
or
CS
变高到写周期的结束。
7.在此期间, I / O引脚处于输出状态,以使相反的相位与输入信号
的输出不能被应用。
8.如果
CS
同时发生的低转换
WE
低电平的跳变或之后
WE
转型,
的输出保持在高阻抗状态。
9. Dout为的这个写周期中的数据写入相同的相位。
10. Dout为下一个地址的读取数据。
11.如果
CS
低在此期间, I / O引脚的输出状态。因此,输入的信号
相位相反的输出不能被应用于它们。
12.在写入周期与
OE
低固定,T
WP
必须满足下列方程,以避免存在的问题
数据总线争。吨
WP
t
DW
分+ T
WHZ
最大
8