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HMC327MS8G 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HMC327MS8G
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内容描述: 砷化镓的InGaP HBT MMIC功率放大器, 3.0 - 4.0 GHz的 [GaAs InGaP HBT MMIC POWER AMPLIFIER, 3.0 - 4.0 GHz]
分类和应用: 射频和微波射频放大器微波放大器功率放大器
文件页数/大小: 8 页 / 262 K
品牌: HITTITE [ HITTITE MICROWAVE CORPORATION ]
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微波公司
v02.1202
HMC327MS8G
砷化镓的InGaP HBT MMIC
功放, 3.0 - 4.0 GHz的
PCB评价
8
放大器 - SMT
材料清单
J1 - J2
J3
C1 - C3
C4
C5
C6
L1
R1
U1
PCB *
描述
PC安装SMA射频连接器
2毫米DC头
330 pF的电容, 0603 PKG 。
1.2 pF电容, 0603 PKG 。
2.0 pF电容, 0402 PKG 。
2.2 μF电容,钽电容
3.0 nH的电感, 0805 PKG 。
130欧姆的电阻, 0603 PKG 。
HMC327MS8G扩增fi er
104829评估板
在网络连接最终应用中的电路板应采用RF
电路设计技术。信号线应该有50欧姆
而包接地引线和接触阻抗
桨应直接连接到接地平面
类似于所示。通孔一苏夫网络cient数
应当被用于连接的顶部和底部接地
面。该评估板应安装一个
合适的散热器。所示的评价电路板是
可从赫梯要求。
*电路板材质:罗杰斯4350
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
12伊丽莎白车道,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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