HI- 1567 ， HI- 1568
点
“A
T
”
发射机
TXA / B
TXA / B
TXINHA / B
52.5
W
（ 0.75咗）
35
W
（ 0.5咗）
52.5
W
（ 0.75咗）
BUSA / B
1:1.79
1:1.4
52.5
W
（ 0.75咗）
35
W
（ 0.5咗）
BUSA / B
隔离
变压器
点
“A
T
”
1.79:1
耦合
变压器
52.5
W
（ 0.75咗）
1.4:1
接收器
RXA / B
RXA / B
耦合
变压器
隔离
变压器
RXENA / B
图3.变压器耦合测试电路
HEAT SINK - ESOIC &芯片级封装
无论是HI - 1567PSI / T / M和HI - 1568PSI / T / M使用
20引脚耐热增强型SOIC封装。该
HI - 1567PCI / T和HI - 1568PCI / T使用塑料芯片级
封装。这些软件包包括一个金属散热片
位于设备的底部表面。这种热
水槽应焊接到印刷电路板
为最佳的热耗散。散热器是
电隔离，并且可以被焊接到任何
方便的电源或地平面..
热特性
产品型号
HI - 1567PSI / T / M
HI - 1568PSI / T / M
HI - 1567CDI / T / M
HI - 1568CDI / T / M
HI - 1567PCI / T
HI - 1568PCI / T
包装样式
条件
散热器
回流前
散热器
焊接
嵌
散热器
回流前
Ø
JA
54°C/W
47°C/W
62°C/W
49°C/W
结温
T
A
=25°C
62°C
57°C
69°C
59°C
T
A
= 85 ° （C T）
A
=125°C
122°C
117°C
129°C
119°C
162°C
157°C
169°C
159°C
20引脚热
增强型塑料
SOIC （ ESOIC ）
20引脚陶瓷
侧面钎焊DIP
44引脚塑料芯片级
级封装
在VDD = 5.0V ，连续传输时为1Mbit / s的数据采取单发射器启用。
耐辐射
在HI- 1567的特点为总剂量
符合MIL -STD- 883辐射性能
方法1019的一部分，满足所有参数数据
置身于25拉德（硅）后。
应用说明
霍尔特应用笔记AN- 500提供的电路设计
关于使用Holt的家庭MIL -STD -1553的笔记
收发器。布局方面的考虑，以及
推荐的接口和保护组件
包括在内。
HOLT集成电路
6
HOLTIC [ HOLT INTEGRATED CIRCUITS ]
