线性磁场传感器
基本设备操作
霍尼韦尔公司的磁阻传感器是简单的电阻
桥装置（图1）只需要一个电源电压
以测量磁场。当从0到10的电压
伏连接到Vbridge ，传感器开始测量
任何环境，或施加磁场的灵敏轴。
除了电桥电路，该传感器具有两个片
磁耦合带，偏置条和
置位/复位带。这些带子是由霍尼韦尔公司专利
并省去了周围设备的外部线圈。
Vbridge
(7)
R
R
偏置条允许多种工作模式
当直流电流通过它驱动。
•一个不必要的磁场可以减去
•桥偏移可以被设置为零
•桥输出可以驱动偏置条取消
出该字段被测量在闭环结构
•桥增益可自动校准系统上
命令。
的置位/复位（ S / R）背带可以是脉冲具有高电流：
OFFSET +
(2)
3.5
Ω
马克斯。
OFFSET -
(6)
OUT +
(5)
R
R=600-1200
Ω
OUT-
(8)
R
为offset
2.0
Ω
马克斯。
的S / R +
(1)
ISET ， -Ireset
S / R -
(3)
•力传感器在高感光度模式下操作
•翻转的输出响应曲线的极性
•正常运行过程中进行循环，以改善线性度
及减少交叉轴效应和温度效应。
在图2所示的输出响应曲线示出了
在S / R脉冲的影响。当一组电流脉冲（伊赛特）是
驱动到SR +引脚时，输出响应遵循曲线
与正斜率。当RESET电流脉冲
（ IRESET ）被驱动到其SR引脚时，输出响应遵循
该曲线具有负斜率。这些曲线是镜
除了左右两个原点偏移的图像效果。
在垂直方向上，所述桥在图2中所示的偏移量，
约-25mV 。这是由于该电阻不匹配时
的制造过程。这个偏移量可以被修剪到零
通过几种技术中的一种。最直接的
技术是跨一个腿添加一个分流器（并联）电阻
桥来强制输出到相同的电压。这
必须在零磁场的环境中进行，通常是
在一个零高斯腔。
图2中水平方向上的偏移被称为
这里作为外部偏移。这可能是由于附近亚铁
对象或不需要的磁场干扰了
外加磁场进行测量。在OFFSET直流电流
肩带可以调整这个偏移量为零。其它方法如
屏蔽不想要的字段中，也可以用作零
外部补偿。由于设置输出响应曲线
和复位脉冲被反射这两偏移。
40
GND
(4)
图1片组件（ HMC1001 ）
磁阻传感器是由一个镍铁
（坡莫合金）薄膜沉积在硅晶片上，并
形成电阻条。在所施加的存在
磁场，在电桥电阻的变化会引起一个
对应变化的电压输出。
外部磁场的施加垂直的侧
膜导致的磁化矢量旋转，并改变
角。这反过来将导致电阻值发生变化（ ΔR/
R）和产生的惠斯通电输出的电压变化
桥梁。这种变化的坡莫合金的电阻被称为
磁阻效应
并直接关系到的角
电流的流动和磁化矢量。
在制造过程中，易磁化轴（优选的方向
磁场）被设置为沿一个方向的长度
薄膜。这允许在电阻的最大变化为
坡莫合金薄膜内的应用领域。然而，影响
强磁场（大于10高斯）沿所述的
易轴会打破，或翻转，薄膜极性
磁化，从而改变该传感器的特性。
下面这样的冷门领域，具有强大的磁场恢复
字段必须随时申请恢复，或者设置的
传感器特性。这种效应将被称为
应用一组脉冲或复位脉冲。桥的极性
输出信号依赖于这个内部膜的方向
磁化是对称的零域输出。
Vcc=8V
20
响应
IRESET后
(1001/1002)
响应
伊赛特后
桥
OFFSET
输出电压（毫伏）
0
-20
-40
外
OFFSET
-60
-80
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
1.25
-1.50
-1.25
-1.00
-0.75
-0.50
外加磁场（高斯）
图2输出电压与外加磁场
6
-0.25
1.50
HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
