HX6228
动态BURN -IN图*
VDD
静态烧机图*
VDD
1
F17
F16
F7
F6
F5
F4
F3
F2
F8
F13
F14
F1
F1
F1
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
A15
CE
NWE
A13
A8
A9
A11
诺埃
A10
NCS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
F18
F19
F0
F15
F12
F11
F10
F19
F9
F19
F1
F1
F1
F1
F1
NC
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
1
2
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NC
A16
A14
A12
A7
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A5
A4
A3
A2
A1
A0
DQ0
DQ1
DQ2
VSS
VDD
A15
CE
NWE
A13
A8
A9
A11
诺埃
A10
NCS
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
DQ3
32
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20
19
18
17
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
R
128K ×8 SRAM
VDD = 5.6V ，R
≤
10 KΩ ， VIH = VDD ， VIL = VSS
环境温度
≥
125
°C,
F0
≥
100千赫平方波
对F1 = F0 / 2 ， F2 = F0 / 4 ， F3 = F0 / 8 ，频率等。
VDD = 5.5V ，R
≤
10 KΩ
环境温度
≥
125
°C
* 40引脚扁平封装烧机图也有类似的连接，可根据要求提供。
订购信息（ 1 ）
H
X
6228
产品型号
T
S
画面层
V = QML V类
Q =的QML Class Q
S =级别S
B = B级
E =设备工程师（ 2 ）
128K ×8 SRAM
R
C
过程
X = SOI
来源
H = HONEYWELL
包名
T为32引脚FP
A = 40引脚FP
K =已知合格芯片
- =裸模（无包装）
总剂量
输入
硬度
缓存类型
5
R = 1×10弧度（SIO
2
)
C = CMOS电平
5
F = 3×10弧度（SIO
2
)
T = TTL电平
6
H = 1×10弧度（SIO
2
)
N =否保证水平
（ 1 ）订单可传真至612-954-2051 。如需技术支持，请联系我们的客户物流处612-954-2888 。
（ 2 ）工程设备介绍：产品参数进行测试，从-55到125°C ， 24小时烧机， IDDSB = 10毫安，无辐射保证。
联系工厂与其他的需求。
要了解更多关于霍尼韦尔固态电子学研究中心，
请访问我们的网站： http://www.ssec.honeywell.com
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因应用或使用本文所描述的任何产品或电路的;它也没有传达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
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