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HX6228TVHC 参数 Datasheet PDF下载

HX6228TVHC图片预览
型号: HX6228TVHC
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内容描述: 128K x 8静态RAM - SOI HX6228 [128K x 8 STATIC RAM-SOI HX6228]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 153 K
品牌: HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
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HX6228
测试仪AC时序特性
TTL I / O配置
3V
CMOS I / O配置
VDD - 0.5 V
输入
各级*
1.5 V
0V
0.5 V
VDD/2
1.5 V
VDD/2
产量
SENSE
水平
高Z
VDD-0.4V
0.4 V
高Z
VDD-0.4V
0.4 V
高Z
3.4 V
2.4 V
高Z
3.4 V
2.4 V
高Z = 2.9V
高Z = 2.9V
*输入上升和下降时间和LT ; 1纳秒/ V
质量和RADIATIONHARDNESS
ASSURANCE
霍尼韦尔维护通过一个高层次的产品的完整性
过程控制,利用统计过程控制,一个COM
完整的“全面质量保证体系, ”计算机数据
基础工艺性能跟踪系统,以及辐射
化硬度保证策略。
辐射硬度保证策略开始于
技术,它是耐辐射的影响。
辐射硬度是由irradiat-保证每个晶圆上
荷兰国际集团的测试结构以及SRAM的产品,然后
监测其对电离敏感的关键参数
辐射。传统的MIL -STD- 883 TM 5005 E组
测试,其中包括用钴60总剂量照射,
根据需要也可以进行。这种全面质量
方法通过确保我们产品的可靠的客户
在可靠性工程,从工艺开发
换货并通过产品认证,并持续
筛查。
采购由于不需要创建详细
规范和提高质量提供好处和
通过标准化的成本节约。
可靠性
霍尼韦尔理解可靠性的严格要求一
中进行的,空间和防御系统需要具有
在可靠性测试上节目的丰富经验
这种性质。这个经验是从comprehen-衍生
VLSI工艺西伯测试。可靠性的属性
RICMOS ™过程进行了表征测试spe-
cially设计的照射和未照射试验struc-
Tures的从特定的失效机理进行了评估显
ated 。这些具体的机制包括,但不
不限于,热载流子,电迁移和时间depend-
耳鼻喉科介电击穿。这个数据随后被用于使
更改设计模型和流程,以确保更多
可靠的产品。
此外, RICMOS ™过程的可靠性和
产品在军事环境下通过测试监控
在加速镝照射和未照射的电路
动力学寿命试验的条件。包能胜任的精良
概述后UCT使用进行B组&研发测试
在MIL -STD- 883 , TM 5005 , S级的产品寻求专业
通过以下的筛选和检测流量,以满足田间
用户的要求。质量一致性测试
如在所有生产批次的选项,以确保执行
该产品的持续可靠性。
9
筛选水平
霍尼韦尔提供了多种级别的设备筛选到
满足您的系统需求。 “工程设备”都是可用
能够在有限的性能和筛选面包......
登机和/或评估测试。高可靠性B级和S
设备经过每要求一额外的筛选
MIL -STD- 883的求。作为一个QML供应商,霍尼韦尔
还提供的QML Class Q和V每MIL- PRF-设备
38535 ,并且可按照适用标准
微电路图纸( SMD ) 。 QML设备提供方便