HX6228
绝对最大额定值（ 1 ）
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
电源电压范围（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度（ 5秒）
最大功率功率耗散（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
热电阻（ JCT-到案例）
结温
1500
2
175
民
-0.5
-0.5
-65
最大
6.5
VDD+0.5
150
270
2.5
25
单位
V
V
°C
°C
W
mA
V
° C / W
°C
Θ
JC
TJ
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） RAM的功耗（ IDDSB + IDDOP ）加RAM的输出驱动器的功耗是由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ）1级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容（1）
最坏的情况下
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
6
8
民
最大
7
9
单位
pF
pF
测试条件
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
（ 1 ）该参数仅在最初的设计特性进行测试。
数据保持特性
符号
VDR
IDR
参数
数据保持电压（ 3 ）
数据保持电流
200
典型
(1)
最坏的情况下
(2)
民
2.5
1.0
最大
V
mA
NCS = VDR
VI = VDR或VSS
NCS = VDD = VDR
VI = VDR或VSS
单位
测试条件
（ 1 ）典型工作条件： TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏的情况下，工作条件： TA = -55 ° C至+ 125°C ，过去总剂量为25 ℃。
（3）向在瞬态辐射保持有效的数据存储，VDD必须推荐的操作范围内进行。
4
HONEYWELL [ HONEYWELL SOLID STATE ELECTRONICS CENTER ]
