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H02N60F 参数 Datasheet PDF下载

H02N60F图片预览
型号: H02N60F
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内容描述: N沟道功率场效应晶体管 [N-Channel Power Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 78 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
热特性
符号
R
θJC
R
θJA
参数
热阻结到外壳最大。
热阻结到环境最大。
价值
TO- 251 / TO- 252
TO-220AB
TO-220FP
62.5
规格。编号: MOS200403
发行日期: 2004年7月1日
修订日期: 2005年7月14日
页页次: 2/6
单位
2
2
3.3
° C / W
° C / W
电气特性
( TJ = 25 ° C,除非另有规定)
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
L
D
L
S
特征
漏源击穿电压(V
GS
= 0V时,我
D
=250uA)
漏极 - 源极漏电流(V
DS
=600V, V
GS
=0V)
漏极 - 源极漏电流(V
DS
=480V, V
GS
= 0V ,T
j
=125°C)
门源漏电流,正向(V
GSF
=20V, V
DS
=0V)
门源漏电流,反向(V
GSR
=-20V, V
DS
=0V)
栅极阈值电压(V
DS
=V
GS
, I
D
=250uA)
静态漏源导通电阻(V
GS
= 10V ,我
D
=1A)*
正向跨导(V
DS
≥50V,
I
D
=1A)*
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
内部排水电感(从漏测铅0.25 “,从
包到模具的中心)
内部排水电感(从漏测铅0.25 “,从
包源焊盘)
(V
DS
= 300V ,我
D
= 6A ,V
GS
=10V)*
(V
DD
= 300V ,我
D
= 2A ,R
G
=18Ω,
V
GS
=10V)*
V
GS
=0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
分钟。
600
-
-
-
-
2
-
1
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
435
56
9.2
12
21
30
24
13
2
6
4.5
7.5
马克斯。
-
1
50
100
-100
4
4.4
-
-
-
-
-
-
-
-
22
-
-
-
-
nH
nH
nC
ns
pF
单位
V
uA
uA
nA
nA
V
姆欧
*:脉冲测试:脉冲宽度
≤300us,
值班Cycle≤2 %
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
on
t
rr
正向电压上( 1 )
向前开启时间
反向恢复时间
特征
I
S
= 2A ,V
GS
= 0V ,T
J
=25
o
C
I
S
= 2A ,V
GS
= 0V ,D
IS
/d
t
=100A/us
分钟。
-
-
-
典型值。
-
**
340
马克斯。
1.6
-
-
单位
V
ns
ns
** :可忽略的,占主导地位的电路中电感
H02N60I , H02N60J , H02N60E , H02N60F
HSMC产品规格