欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

H9435S 参数 Datasheet PDF下载

H9435S图片预览
型号: H9435S
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: P沟道增强型MOSFET ( -30V , -5.3A ) [P-Channel Enhancement-Mode MOSFET (-30V, -5.3A)]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 41 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
 浏览型号H9435S的Datasheet PDF文件第1页浏览型号H9435S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H9435S的Datasheet PDF文件第4页  
HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
电气特性
(T
A
= 25 ℃,除非另有说明)
符号
STATIC
BV
DSS
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
g
FS
动态
Q
g
Q
gs
Q
gd
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
V
DD
= 10V ,R
L
=15Ω, I
D
=-1A,
V
= -10V ,R
G
=6Ω
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
V
DS
= -15V ,我
D
= -5.3A ,V
GS
=-10V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
漏源击穿电压
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
正向跨导
V
GS
= 0V时,我
D
=-250uA
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4.2A
V
GS
= -10V ,我
D
=-5.3A
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250uA
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
V
DS
= -15V ,我
D
=-5.3A
30
-
-
-1
-
-
4
特征
测试条件
分钟。
规格。编号: MOS200509
发行日期: 2005年10月1日
修订日期: 2005年10月6日
页页次: 2/4
典型值。
马克斯。
单位
-
82
50
-
-
-
7
-
90
60
-3
-1
±100
-
V
mΩ
V
uA
nA
S
9.52
3.43
1.71
551.57
90.96
60.79
10.8
2.33
22.53
3.87
-
-
-
-
-
-
-
-
Ns
-
-
PF
nC
漏源二极管的特性
I
S
V
SD
二极管的最大正向电流
漏源二极管的正向电压
V
GS
= 0V时,我
S
=-5.3A
-
-
-
-
-1.9
-1.3
A
V
注:脉冲测试:脉冲宽度
≤300us,
值班Cycle≤2 %
H9435S
HSMC产品规格