HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
规格。编号：初步数据
发行日期： 1998年12月1日
修订日期： 2000年10月1日
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HD122
NPN外延硅达林顿晶体管
描述
该HD122是专为中等功率线性和开关
应用程序。
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
•
最高温度
存储温度................................................ ............................................ -50 〜+ 150
°C
结温................................................ ................................... 150
°C
最大
•
最大功率耗散
总功率耗散（TC = 25℃） ........................................ ............................................ 40瓦
•
最大电压和电流
BVCBO集电极 - 基极电压............................................. ....................................... 100伏
BVCEO集电极到发射极电压............................................. .................................... 100伏
BVEBO发射器基极电压............................................. .............................................. 5 V
IC集电极电流.............................................................................................................. 4将
IC集电极电流（脉冲） ............................................ .................................................. 0.1 A
电气特性
(Ta=25°C)
符号
BVCBO
* BVCEO
BVEBO
ICEO
ICBO
IEBO
*VCE(sat)1
*VCE(sat)2
* VBE （上）
*hFE1
*hFE2
分钟。
100
100
5
-
-
-
-
-
-
1000
1000
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
2
1
2
2.5
2.8
2.5
-
-
单位
V
V
V
mA
mA
mA
V
V
V
测试条件
IC=1mA
IC=100mA
IE=100uA
VCE=50V
VCB=100V
VBE=5V
IC = 1.5A ， IB = 30毫安
IC = 2A ， IB = 40毫安
IC = 3A ， VCE = 3V
IC = 0.5A ， VCE = 3V
IC = 3A ， VCE = 3V
*脉冲测试：脉冲宽度
≤380us,
值班Cycle≤2 ％
HSMC产品规格
HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
