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HD122 参数 Datasheet PDF下载

HD122图片预览
型号: HD122
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内容描述: NPN外延硅素达林顿晶体管 [NPN EPITAXIAL SILION DARLINGTON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管达林顿晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 43 K
品牌: HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
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HI- SINCERITY
微电子股份有限公司。
特性曲线
收藏家增益&集电极电流
10000
10000
规格。编号:初步数据
发行日期: 1998年12月1日
修订日期: 2000年10月1日
页页次: 2/4
Sturation电压&集电极电流
25℃的hFE @ V
CE
=4V
-40°C的hFE @ V
CE
=4V
Sturation电压(毫伏)
1000
-40°C V
CE ( SAT )
@ I
C
=100I
B
1000
25℃ V
CE ( SAT )
@ I
C
=100I
B
的hFE
100
10
1
1
10
100
1000
10000
100
100
1000
10000
集电极电流IC (MA )
集电极电流IC (MA )
Sturation电压&集电极电流
10000
10000
电压&集电极电流
Sturation电压(毫伏)
-40¢ V
BE ( SAT )
@ I
C
=100I
B
C
X
1000
25¢ V
BE ( SAT )
@ I
C
=100I
B
C
X
上压(MV )
-40¢ V
BE(上)
@ V
CE
=4V
C
X
1000
25¢ V
BE(上)
@ V
CE
=4V
C
X
100
100
1000
10000
100
10
100
1000
10000
集电极电流IC (MA )
集电极电流IC (MA )
开关时间&集电极电流
10
V
CC
= 30V ,我
C
=250, I
B1
= -250I
B2
1000
电容&反向偏置电压
开关时间(我们)
TSTG
电容(pF)
1
Tf
100
COB
0.1
1
10
10
0.1
1
10
100
集电极电流IC ( A)
反向偏置电压(V )
HSMC产品规格