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    HMJE3055T 参数 Datasheet PDF下载

    HMJE3055T图片预览
    型号： HMJE3055T
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： NPN外延平面晶体管 [NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR]
    分类和应用： 晶体晶体管局域网
    文件页数/大小： 3 页 / 38 K
    品牌： HSMC [ HI-SINCERITY MOCROELECTRONICS ]
     浏览型号HMJE3055T的Datasheet PDF文件第1页浏览型号HMJE3055T的Datasheet PDF文件第3页  
    HI- SINCERITY
    微电子股份有限公司。
    特性曲线
    电流增益&集电极电流
    100
    10000
    规格。编号： HE6737 -A
    发行日期： 1993年9月24日
    修订日期： 1999年8月1日
    页页次： 2/3
    饱和电压&集电极电流
    的hFE @ V
    CE
    =4V
    饱和电压（MV ）
    1000
    V
    BE （SAT）
    @ I
    C
    =10I
    B
    的hFE
    100
    V
    CE （SAT）
    @ I
    C
    =10I
    B
    10
    1
    10
    100
    1000
    10000
    10
    1
    10
    100
    1000
    10000
    集电极电流（毫安）
    集电极电流（毫安）
    电压&集电极电流
    10000
    10
    开关时间&集电极电流
    开关时间（我们）
    上压（MV ）
    1
    TSTG
    1000
    吨
    0.1
    Tf
    V
    BE（上）
    @ V
    CE
    =4V
    100
    1
    10
    100
    1000
    10000
    0.01
    0.1
    1.0
    10.0
    集电极电流（毫安）
    集电极电流（ A）
    电容&反向偏置电压
    1000
    100000
    安全工作区
    10000
    集电极电流-I
    C
    （MA ）
    电容（pF）
    1000
    P
    T
    = 1毫秒
    100
    P
    T
    〜 100毫秒
    P
    T
    =1 s
    100
    COB
    10
    10
    0.1
    1
    10
    100
    1
    1
    10
    100
    1000
    反向偏置电压（V ）
    正向电压-V
    CE
    (V)
    HSMC产品规格

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