HY57V561620LT-H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY57V561620LT-H
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内容描述：	4Banks X大4M x 16Bit的同步DRAM [4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM]
分类和应用：	内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小：	13 页 / 153 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

HY57V561620(L)T

Minimum VDD clamp current

(Referenced to VDD)

VDD Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ

VDD (V)

I(mA)

0.0

0.2

0.4

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

2.0

2.2

2.4

2.6

0.0

0.23

1.34

3.02

5.06

7.35

9.83

12.48

15.30

18.31

Volta ge

I (mA)

Minimum VSS clamp current

VSS Clamp @ CLK, CKE, CS, DQM & DQ

VSS (V)

I (mA)

- 3

- 2.5

- 2

- 1.5

- 1

- 0.5

-2.6

-2.4

-2.2

-2.0

-1.8

-1.6

-1.4

-1.2

-1.0

-0.9

-0.8

-0.7

-0.6

-0.4

-0.2

0.0

-57.23

-45.77

-38.26

-31.22

-24.58

-18.37

-12.56

-7.57

-3.37

-1.75

-0.58

-0.05

0.0

- 10

- 20

- 30

- 40

- 50

- 60

Volta ge

0.0

I (mA)

0.0

Revision 1.8 / Apr.01

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