HY5DU561622DTP-H 参数 Datasheet PDF下载

型号：	HY5DU561622DTP-H
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内容描述：	256M DDR SDRAM （ 268435456位CMOS双数据速率（ DDR ）同步DRAM） [256M DDR SDRAM (268,435,456-bit CMOS Double Data Rate(DDR) Synchronous DRAM)]
分类和应用：	动态存储器双倍数据速率
文件页数/大小：	37 页 / 403 K
品牌：	HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]

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HY5DU56422D(L)TP

HY5DU56822D(L)TP

HY5DU561622D(L)TP

OPERATION COMMAND TRUTH TABLE-II

Current

State

/CS

WRITE

READ

WITH

AUTOPRE-

CHARGE

WRITE

AUTOPRE-

CHARGE

PRE-

CHARGE

/RAS

/CAS

/WE

Address

BA, RA

BA, AP

OPCODE

BA, CA, AP

BA, RA

BA, AP

OPCODE

BA, CA, AP

BA, RA

BA, AP

OPCODE

BA, CA, AP

BA, RA

BA, AP

OPCODE

Command

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

MRS

DSEL

NOP

BST

READ/READAP

WRITE/WRITEAP

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

MRS

DSEL

NOP

BST

READ/READAP

WRITE/WRITEAP

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

MRS

DSEL

NOP

BST

READ/READAP

WRITE/WRITEAP

ACT

PRE/PALL

AREF/SREF

MRS

Action

ILLEGAL

Term burst, precharge

ILLEGAL

Continue burst to end

ILLEGAL

4,10

ILLEGAL

4,10

ILLEGAL

Continue burst to end

ILLEGAL

4,10

ILLEGAL

4,10

ILLEGAL

NOP-Enter IDLE after tRP

ILLEGAL

4,10

ILLEGAL

4,10

ILLEGAL

4,10

NOP-Enter IDLE after tRP

ILLEGAL

Rev. 0.1 /May 2004

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