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    H55S1262EFP-75E 参数 Datasheet PDF下载

    H55S1262EFP-75E图片预览
    型号： H55S1262EFP-75E
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 基于2M的128Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O [128MBit MOBILE SDR SDRAMs based on 2M x 4Bank x16 I/O]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 54 页 / 730 K
    品牌： HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第1页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第6页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第7页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第8页浏览型号H55S1262EFP-75E的Datasheet PDF文件第9页  
    11
    的128Mbit （ 8Mx16bit ）移动SDR记忆
    H55S1262EFP系列
    特点
    标准SDRAM协议
    时钟同步操作
    - 所有命令的基本输入时钟的上升沿注册（ CLK ）
    多银行操作 - 内部4bank操作
    - 在突发读写操作，突发读取或写入一个不同的银行进行。
    - 在突发读写操作，不同的银行被激活，突发读取或写入
    该银行执行
    - 在自动预充电突发读取或写入，突发读取或写入一个不同的银行进行
    电源电压： VDD / VDDQ =
    1.7V至1.95V
    LVCMOS兼容的I / O接口
    低电压接口，以减少I / O电源
    可编程的突发长度：1， 2 ，4，8或整页
    可编程突发类型：顺序或交织
    3个或2个可编程的CAS延迟
    可编程驱动强度
    低功耗特性
    - 可编程PASR （部分阵列自刷新）
    - 自动TCSR （温度补偿自刷新）
    - 可编程的DS （驱动力）
    - 深度掉电模式
    -25
    o
    C ~ 85
    o
    C或
    -30
    o
    C ~ 85
    o
    C
    工作温度
    - 扩展级温度。 ： -25
    o
    C
    ~ 85
    o
    C
    - 手机温度。 ： -30
    o
    C
    ~ 85
    o
    C
    修订版1.2 /八月2009年
    ●
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    封装类型： 54Ball FBGA
    5

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