11
的128Mbit （ 8Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1262EFP系列
绝对最大额定值
参数
外壳温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
在V电压
DDQ
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
.
时间
Note1
- 扩展级温度。 ： -25
o
C
~ 85
o
C
- 手机温度。 ： -30
o
C
~ 85
o
C
符号
T
C
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
I
OS
PD
T
SOLDER
等级
-25 ~ 85
1)
-30 ~ 85
1)
单位
o
C
-55 ~ 125
-1.0 ~ 2.6
-1.0 ~ 2.6
-1.0 ~ 2.6
50
1
260
.
20
o
C
V
V
V
mA
W
C
.
美国证券交易委员会
o
DC工作条件
（ TC = -25 〜85
o
C
3)
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
or
-30到85
o
C
3)
)
民
1.7
1.7
0.8*V
DDQ
-0.3
典型值
1.8
1.8
-
-
最大
1.95
1.95
V
DDQ +
0.3
0.3
单位
V
V
V
V
记
1
1, 2
1, 2
1, 2
注意：
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2. V
DDQ
一定不能超过V的电平
DD
3. - 扩展级温度。 ： -25
o
C
~ 85
o
C
- 手机温度。 ： -30
o
C
~ 85
o
C
AC运行试验条件
（ TC = -25 〜85
o
C
1)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出时序测量参考电平电压
输出负载电容的访问时间测量
Note1
- 扩展级温度。 ： -25
o
C
~ 85
o
C
- 手机温度。 ： -30
o
C
~ 85
o
C
or
-30到85
o
C
1)
， VDD = 1.7V min至1.95V最大， VSS = 0V ）
符号
V
IH
/ V
IL
V
旅
t
R
/ t
F
V
OUTREF
CL
价值
0.9*V
DDQ
/0.2
0.5*V
DDQ
1
0.5*V
DDQ
30
单位
V
V
ns
V
pF
修订版1.2 /八月2009年
9
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
