1千兆位（ 64Mx16bit ）移动SDR记忆
H55S1G62MFP系列
直流特性II
(T
A
= -30到85
o
C)
参数
符号
测试条件
突发长度= 1 ，一家银行主动
t
RC
≥
t
RC
（分钟） ，我
OL
=0mA
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=分钟
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
=分钟
输入信号被改变一次
中
2clks.
所有其他引脚
≥
V
DD
-0.2V或
≤
0.2V
CKE
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
=
∞
输入信号是稳定的。
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=分钟
CKE
≤
V
IL
（最大值），叔
CK
=
∞
CKE
≥
V
IH
（分钟） ， CS
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
= 15ns的
输入信号被改变一次
中
2clks.
所有其他引脚
≥
V
DD
-0.2V或
≤
0.2V
CKE
≥
V
IH
（分钟） ，T
CK
=
∞
输入信号是稳定的。
t
CK
≥
t
CK
（分钟） ，我
OL
=0mA
所有银行都主动
t
RFC
≥
t
RFC
（ MIN）
CKE
≤
0.2V
看到该页面
“深度掉电模式”
50
120
请参阅下页
10
速度
166MHz的133MHz的105MHz
50
0.4
0.4
40
单位
记
11
工作电流
预充电待机
当前
在掉电模式
IDD1
IDD2P
IDD2PS
mA
mA
mA
1
预充电待机
当前
在非掉电
模式
IDD2N
5
mA
IDD2NS
当前待机电流IDD3P
在掉电模式下IDD3PS
2
3
2
mA
当前待机电流IDD3N
在非掉电
模式
IDD3NS
突发模式工作
IDD4
当前
自动刷新当前
自刷新电流
在待机电流
深度掉电
模式
注意事项：
IDD5
IDD6
IDD7
8
mA
3
40
mA
mA
mA
uA
2
3
1
1. IDD1和IDD4取决于输出负载和循环率。规定值的测量与输出开路
2.请参阅下页的表格更加具体IDD6电流值。
3.请与海力士办公室的DPD操作的详细信息和能力。
深层关机操作是海力士可选功能。
修订版1.2 / 2008年7月
10
HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
