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H55S1G62MFP-75 参数 Datasheet PDF下载

H55S1G62MFP-75图片预览
型号: H55S1G62MFP-75
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内容描述: 1GB ( 64Mx16bit )移动SDRAM [1Gb (64Mx16bit) Mobile SDRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路动态存储器时钟
文件页数/大小: 53 页 / 706 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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1千兆位( 64Mx16bit )移动SDR记忆
H55S1G62MFP系列
电容
(T
A
= 25
o
C,F = 1MHz的)
A3/75/60
参数
符号
CLK
输入电容
A0 〜 A13 , BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS ,
CAS,WE , UDQM , LDQM
数据输入/输出电容
DQ0 〜 DQ15
CI1
CI2
CI / O
1.5
1.5
2.0
最大
3.5
3.0
4.5
pF
pF
pF
单位
11
DC特性的研究我
(T
A
= -30到85
o
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
注意事项:
1. VIN = 0〜 1.8V 。所有其它引脚不VIN = 0V下进行测试。
2. DOUT被禁用。 VOUT = 0〜 1.95V 。
3. IOUT = - 0.1毫安
4. IOUT = + 0.1毫安
符号
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
-1
-1.5
0.9*V
DDQ
-
最大
1
1.5
-
0.1*V
DDQ
单位
uA
uA
V
V
1
2
3
4
修订版1.2 / 2008年7月
9