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H5GQ1H24AFR-T2L 参数 Datasheet PDF下载

H5GQ1H24AFR-T2L图片预览
型号: H5GQ1H24AFR-T2L
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内容描述: 1GB ( 32Mx32 ) GDDR5 SGRAM [1Gb (32Mx32) GDDR5 SGRAM]
分类和应用: 双倍数据速率
文件页数/大小: 173 页 / 2968 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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H5GQ1H24AFR
1) Assert RESET# Low anytime when reset is needed.
2) Hold RESET# Low for minimum 100ns. Assert and hold NOP command.
3) Set CKE# for the desired ADR/CMD ODT settings, then bring RESET# High to latch in the logic state of 
CKE#; tATS and tATH must be met during this procedure. Keep EDC1 (MF=0) / EDC2 (MF=1) at the same 
逻辑电平为中电初始化的设备功能并不能保证,如果在I / O宽度有
改变了。
4) Continue with step 9 of the power‐up initialization sequence.
V
DD
, V
DDQ
V
REFD / C
((
))
((
))
((
))
((
))
((
))
((
))
t
ATS
t
ATH
((
))
RESET#
((
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((
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CKE #
CK #
CK
CMD
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((
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((
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((
))
((
))
((
))
NOP
NOP
( (
NOP
NOP
PRE
NOP
火车/ MRS
((
))
((
))
交流
交流
ADR
DQ<31 : 0> ,
DBI # <3 : 0>
EDC<3 : 0>
WCK #
WCK
((
))
((
))
((
))
((
))
((
))
((
))
((
))
((
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火车/ MRS
((
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ADR
ADR ADR ADR
((
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火车/ MRS
((
))
((
))
))
((
))
((
))
火车/ MRS
((
所有银行
预充电
min. 100 ns
min. 200 μs
t
RP
步骤执行
13‐21 in Power‐up
顺序
注意事项: 1.交=任何命令
2.  Device functionality is not guaranteed if x32/x16 mode is not the same as during power‐up initialization.
图4 :初始化与稳定的力量
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
用于描述电路的责任。没有专利许可。
1.0版/十一月2009年
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