1H5PS5162FFR
2.3基本功能&操作的DDR2 SDRAM
读取和写入访问的DDR2 SDRAM是迸发导向;存取开始在选定的位置
并继续为四个或八个在编程序列中的脉冲串长度。访问开始的寄存器
tration激活命令，然后接着是读或写命令。地址位稳压
要访问istered暗合了用于选择和行激活命令（ BA0 - BA1
选择银行; A0 - A12选择行） 。在读取或写入地址位重合注册
命令是用来选择起始列位置的突发访问，并确定是否自动
预充电命令被发出。
之前的正常运行，DDR2 SDRAM中必须被初始化。以下部分提供了详细的
信息包括设备初始化，寄存器定义，命令描述和设备操作。
2.3.1电源和初始化
的DDR2 SDRAM必须被加电并以预定的方式进行初始化。操作程序等
比规定可能会导致不确定的操作。
上电和初始化顺序
下面的序列所需的电和初始化。
1.接通电源，并尝试保持CKE低于0.2 * VDDQ和ODT
*1
在低状态（所有其他投入
可能是不确定的。 ）
- VDD时， VDDL和VDDQ的是从单个电源转换器的输出驱动，与
- VTT被限制在0.95 V max时，与
- Vref的跟踪VDDQ / 2 。
or
- 之前或同时为VDDL应用VDD。
- 之前或同时为VDDQ应用VDDL 。
- 之前或同时为VTT & Vref的应用VDDQ 。
至少一个这两组条件必须得到满足。
2.启动时钟和保持稳定的状态。
3.对于200我们稳定的电源和时钟（ CK ， CK ）之后的最低，然后应用NOP或取消&拿
CKE高。
4.等待最低的为400ns ，然后发出预充电所有命令。 NOP或在400ns的取消选择应用
期。
5.文档EMRS （2）命令。 （要发出EMRS （ 2 ）指令，提供“低”到BA0 ， “高”至Ba1 。 ）
*2
6.发行EMRS （ 3 ）命令。 （要发出EMRS （ 3 ）命令，为“高”，以BA0和BA1 ）。
*2
7.发行EMRS使DLL。 （要发出"DLL Enable"命令，提供"Low"到A0 ， "High"到BA0和
"LOW"至BA1 ）。
8.发出“DLL复位”一个模式寄存器设置命令。
（要发出DLL复位指令，提供"High"到A8和"Low"到BA0-1 ）。
9.发出预充电所有命令。
10.问题2或更多自动刷新命令。
11.发行模式寄存器设置命令低到A8初始化设备操作。 （即，编程操作
阿婷参数，无需重新设置DLL ）。
第8步12后至少200个时钟，执行OCD校准（片外驱动器阻抗调整） 。
如果不使用OCD的校准， EMRS OCD默认命令（A9 = A8 = A7 = 1 ），接着EMRS强迫症
校准模式退出命令（ A9 = A8 = A7 = 0 ）必须与其他运行参数发出
修订版1.4 /八月2008年
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
