1H5PS5162FFR
2.3.2.2 DDR2 SDRAM扩展模式寄存器设置
EMRS(1)
扩展模式寄存器（ 1 ）存储数据，用于启用或禁用该DLL ，输出驱动强度，附加延迟，
ODT ， DQS禁用， OCD程序。扩展模式寄存器（ 1 ）的默认值没有被定义，因此该
扩展模式寄存器（ 1 ）必须在上电后正常工作被写入。扩展模式寄存器（ 1 ）被写入
通过置低CS ， RAS ， CAS，WE ，高BA0和低BA1 ，同时控制地址引脚的状态A0 〜
A12 。在DDR2 SDRAM应在所有银行预充电与CKE已经写入扩展模式之前高
注册（ 1 ） 。模式寄存器设置命令的循环时间（超过tMRD ）必须满足以完成写操作的
扩展模式寄存器（ 1 ） 。模式寄存器的内容可以使用相同的命令和时钟周期要求一被改变
正常操作，只要所有银行都在预充电状态时求。 A0是用于DLL使能或禁用。 A1是
用于使一个半强度的输出驱动器。 A3 〜 A5决定附加延迟， A7 〜 A9用于OCD控制，
A10用于DQS禁用。 A2和A6的用于ODT设置。
DLL使能/禁用
该DLL必须启用正常运行。 DLL使在上电时初始化是必需的，并且
时具有禁用该DLL之后返回到正常操作。 DLL被自动禁用时
在进入自刷新操作，并自动重新启动时的自刷新操作退出。任何时候，
DLL是启用（随后复位） ，前一个Read命令可以200个时钟周期必须发生
发出，以便有时间的内部时钟与外部时钟同步。否则等待同步
chronization发生可能导致违反TAC或tDQSCK参数。
修订版1.4 /八月2008年
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HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
