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HY27US08281A 参数 Datasheet PDF下载

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型号: HY27US08281A
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内容描述: 的128Mbit ( 16Mx8bit / 8Mx16bit )NAND闪存 [128Mbit (16Mx8bit / 8Mx16bit) NAND Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 44 页 / 345 K
品牌: HYNIX [ HYNIX SEMICONDUCTOR ]
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HY27US ( 08/16 ) 281A系列
的128Mbit ( 16Mx8bit / 8Mx16bit )NAND闪存
2.总线操作
有迹象表明,控制装置六个标准总线操作。这些命令输入,地址输入,数据输入,
数据输出,写保护和待机。
通常毛刺小于5 ns的芯片使能,写使能和读使能的内存被忽略,不
影响公交车运营。
2.1命令的输入。
命令输入总线操作是用来给一个命令给存储装置。命令被接受芯片
实现低,命令锁存使能高,地址锁存使能低,读使能高和锁存上升
的写使能优势。而且对于命令启动一个修改操作(写入/擦除)的写保护引脚
要高。参见图5和表12中的定时要求的信息。命令代码总是适用于
IO7 : 0 ,不顾总线配置( X8 / X16 ) 。
2.2地址输入。
地址输入总线操作允许内存地址的插入。三个周期都需要输入的
地址为128Mbit的设备。地址接受芯片使能低,地址锁存使能高, COM的
命令锁存使能低,读使能高,锁存,写使能上升沿。而且对于命令
启动修改操作(写入/擦除)的写保护引脚要高。参见图6和表10的细节
时序要求。地址始终施加在IO7 : 0 ,不顾总线配置( X8 / X16 ) 。
此外,在可寻址空间( A23为128Mbit的)地址,即使用户在设置它们被忽视
命令插入。
2.3数据输入。
数据输入总线操作允许馈送到设备中的数据进行编程。数据插入串行和
通过写定时开启循环。数据只接受芯片使能低,地址锁存使能低,命令
锁存使能低,读使能高,而且写保护高和锁存,写使能上升沿。见图
7和表12的时序要求的详细信息。
2.4数据输出。
数据输出总线操作允许从存储阵列中读取数据,并检查状态寄存器的内容时,
锁定状态和ID数据。可以将数据串行移出切换的读使能与芯片引脚使能低,写
启用高,地址锁存使能低,命令锁存使能低。参见图8至12和表12的详细信息
的定时要求。
2.5写保护。
当写保护引脚为低电平硬件写保护被激活。在这种情况下修改操作不
启动和存储器的内容不被改变。写保护脚不被写入锁存使能,以保证亲
tection即使在加电。
2.6备用。
在待机模式下的设备被选中,输出被禁止,并降低功耗。
修订版0.6 / 2005年11月
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